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士蘭微榮獲“中國(guó)SiC器件IDM十強(qiáng)企業(yè)”獎(jiǎng)
2023.12.29

日前，由行家信息科技、行家芯網(wǎng)科技主辦的行家說(shuō)三代半年會(huì)“2023碳化硅&氮化鎵產(chǎn)業(yè)高峰論壇暨極光獎(jiǎng)?lì)C獎(jiǎng)典禮”在深圳國(guó)際會(huì)展中心舉辦。其中，士蘭微電子榮獲“中國(guó)SiC器件IDM十強(qiáng)企業(yè)”獎(jiǎng)。


明星產(chǎn)品

SSM1R7PB12B3DTFM是士蘭微電子基于自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的SiC MOS芯片技術(shù)所開(kāi)發(fā)的六單元拓?fù)淠K，是士蘭微電子推出的新能源電動(dòng)汽車(chē)電驅(qū)系統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域的主力產(chǎn)品之一，具有高電流密度、高短路能力和高阻斷電壓等級(jí)等優(yōu)勢(shì)，為嚴(yán)苛環(huán)境條件下的逆變器運(yùn)行提供更可靠的保障。該產(chǎn)品具有行業(yè)領(lǐng)先的高阻斷電壓、低導(dǎo)通電阻和高電流密度等技術(shù)指標(biāo)，整體可靠性上達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。該產(chǎn)品從芯片上采用低界面態(tài)密度和高溝道遷移率的SiC/SiO2氧化工藝研發(fā)，單芯片導(dǎo)通電阻達(dá)到甚至優(yōu)于國(guó)外同級(jí)別器件水平；封裝方面攻克納米銀燒結(jié)、銅線鍵合技術(shù)并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。